ФТП, 2009, том 43, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние самокомпенсации на время жизни электрона
в теллуриде кадмия, легированном галлием

Е.В.Рабенок, М.В.Гапанович, Г.Ф.Новиков , И.Н.Один *

Институт проблем химической физики Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия
* Московский государственный университет (химический факультет),
119992 Москва, Россия

(Получена 13 ноября 2008 г. Принята к печати 20 ноября 2008 г.)

Методами сверхвысокочастотной фотопроводимости и катодолюминесценции исследованы элементарные процессы с участием заряженных частиц в поликристаллических твердых растворах на основе теллурида кадмия CdTe-GaTe и CdTe-Ga2Te3 --- перспективных активных средах датчиков интроскопии человека с низкой дозовой нагрузкой. Экспериментально установлено, что амплитуда, характеристическое время и форма спада фотоотклика зависели от уровня легирования, причем характеристическое время спада увеличивалось с ростом уровня легирования. Показано, что изменение кинетики гибели фотогенерированных электронов в легированном теллуриде кадмия (по сравнению с исходным) обусловлено эффектом самокомпенсации, приводящим к перераспределению ловушек по энергиям.

PACS: 61.66.Fn, 61.72.Bb, 61.72.uj, 73.50.Gr, 73.61.Ga, 78.60-b

 PDF версия (210Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster