ФТП, 2009, том 43, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Выявление особенностей локализации электронов на U--центрах
в полупроводниках методом термостимулированных токов

А.Г.Никитина, В.В.Зуев

Московский инженерно-физический институт (государственный университет),
115409 Москва, Россия

(Получена 15 октября 2008 г. Принята к печати 30 октября 2008 г.)

Теоретически исследованы особенности термостимулированных токов в полупроводнике в присутствии U--центров в сравнении с ситуациями, когда имеются дефекты с положительной корреляционной энергией или одноуровневые центры. Показано, что анализ нормированной на максимальное значение кривой термостимулированных токов по форме и по наличию или отсутствию смещения ее температурного максимума в зависимости от начального заполнения дает дополнительный необходимый признак для распознавания дефектов с различными характеристиками связи электронов на них. Полученные результаты могут быть использованы при анализе экспериментальных данных по термостимулированным токам, имеющих особенности, которые не получают объяснения в рамках часто эксплуатируемой модели одноуровневых центров.

PASC: 61.72.Bd, 61.80.Az, 72.20.Dp, 72.20.Ee, 72.20.Fr, 72.20.Jv

 PDF версия (152Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster