ФТП, 2009, том 43, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизмы и особенности детектирования излучения субмиллиметрового диапазона длин волн полевыми
транзисторами с коротким двумерным каналом

М.Л.Орлов, А.Н.Панин, Л.К.Орлов

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 2 октября 2008 г. Принята к печати 13 октября 2008 г.)

Выполнен анализ детектирующих свойств ряда короткоканальных полевых транзисторов с использованием их стационарных выходных характеристик. Вид рассчитанных зависимостей вольт-ваттной чувствительности от прикладываемых напряжений сопоставляется с соответствующими кривыми, полученными из высокочастотных измерений. Показано, что наблюдаемый в диапазоне частот 400-750 ГГц немонотонный вид зависимости фоточувствительности полевых гетеротранзисторов от прикладываемых к затвору напряжений не связан с резонансным возбуждением двумерных плазмонов в подзатворной плазме транзистора, а обусловлен изменением характера распределения стационарных полей внутри структуры и, как следствие, с изменением эффективности проявления нерезонансных механизмов нелинейности в электронной подсистеме транзистора с ростом напряжения между затвором и транспортным каналом. Данный вывод подтверждается исследованиями частотных зависимостей фотоотклика в рассматриваемом диапазоне, не обнаруживающих резонансное поведение на частотах, соответствующих положению наблюдаемых максимумов на кривых, измеренных на фиксированной частоте при разных напряжениях на затворе транзистора.

PACS: 72.20.Ht, 72.30.+q, 73.40.-c, 73.50.Mx, 85.30.Pq

 PDF версия (795Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster