ФТП, 2009, том 43, выпуск 6: page 755...

ФТП, 2009, том 43, выпуск 6

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Термо- и радиационно стабильные контакты к SiC на основе квазиаморфных пленок ZrB₂

А.Е.Беляев, Н.С.Болтовец^\kern1pt*, В.Н.Иванов^\kern1pt*, Л.М.Капитанчук^\kern1pt+,
Р.В.Конакова^\kern1pt, Я.Я.Кудрик, В.В.Миленин

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
^* Государственное предприятие << Научно-исследовательский институт \glqq Орион\grqq>>,
03057 Киев, Украина
⁺ Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины,
03680 Киев, Украина

(Получена 2 июля 2008 г. Принята к печати 17 октября 2008 г.)

Методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик в сочетании с послойным оже-анализом исследовались радиационная и термическая стабильность структур с барьером Шоттки, изготовленных магнетронным распылением диборида циркония на поверхность (0001) монокристаллов

n

6H(15R)SiC

, выращенных методом Лели, с концентрацией нескомпенсированых доноров

~10

¹⁸см^-3.

Показано, что использование квазиаморфных пленок ZrB₂ при изготовлении контактов на $n$ - $6H(15R)SiC$ не приводит к изменениям характеристик барьеров Шоттки при быстрых термических отжигах до $800$ ^oC в диапазоне доз облучения gamma-квантами ⁶⁰Co10³-10⁷ Гр.

PACS: 85.40.Ls, 85.30.Hi

PDF версия (552Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster