ФТП, 2009, том 43, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние энергии фотовозбуждения в процессе электронного облучения на дефектообразование в кристаллах n-Si

Т.А.Пагава, Н.И.Майсурадзе

Грузинский технический университет, Республиканский центр структурных исследований (РЦСИ),
0175 Тбилиси, Грузия

(Получена 14 апреля 2008 г. Принята к печати 21 мая 2008 г.)

Исследовано влияние подсветки кристаллов n-Si в процессе облучения электронами на природу радиационных дефектов. Образцы, облученные электронами с энергией 2 МэВ, подвергались изохронному отжигу в интервале температур 200-600oC. После каждого цикла 20-минутного отжига методом Холла измерялась концентрация электронов в интервале температур 77-300 K. Показано, что при возбуждении в процессе облучения E-центров квантами с энергией hnu=0.44 эВ (длина волны lambda=2.8 мкм) в кристаллах n-Si образуются двухвакансионные фосфорсодержащие дефекты типа PV2, что приводит к увеличению радиационной стойкости исследуемых кристаллов. При возбуждении отрицательных вакансий V- квантами с hnu=0.28 эВ (lambda=4.4 мкм) общее количество радиационных дефектов растет в 1.2 раза.

PACS: 61.72.Cc, 61.72.Ji, 61.80.Fe, 72.20.Fr, 72.20.My

 PDF версия (516Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster