ФТП, 2009, том 43, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Распределение излучения в светодиодах на основе GaInAsSb/GaSb

А.Л.Закгейм +, Н.Д.Ильинская =/=, С.А.Карандашев =/=, Б.А.Матвеев =/=,
М.А.Ременный =/=, А.Е.Черняков +, А.А.Шленский *

+ Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур
при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
=/=Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Государственный научно-исследовательский и проектный институт
редкометаллической промышленности (ГИРЕДМЕТ),
119017 Москва, Россия

(Получена 5 августа 2008 г. Принята к печати 2 сентября 2008 г.)

Представлены результаты исследования картин ближнего поля инфракрасных флип-чип светодиодов на основе твердых растворов GaInAsSb, излучающих в области 2 мкм. Обсуждаются отражательные и электрические свойства контактов, а также анализируется характер распределения излучения в ближнем поле в зависимости от тока и электрических и геометрических параметров светодиодов.

PACS: 78.55.Cr, 78.60.Fi, 85.60.Jb

 PDF версия (1.3Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster