ФТП, 2009, том 43, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизмы прохождения прямого тока в фотодиодах Au-CdTe с модифицированной поверхностью

В.П.Махний, Ю.Н.Бойко, Н.В.Скрипник\kern1pt

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича
58012 Черновцы, Украина

(Получена 11 сентября 2008 г. Принята к печати 1 октября 2008 г.)

Исследованы вольт-амперные характеристики поверхностно-барьерных диодов на базе подложек n-CdTe, прошедших обработку в водной суспензии солей щелочных металлов. Установлено, что прямой ток определяется рекомбинационными процессами в области пространственного заряда и надбарьерным прохождением носителей.

PACS: 73.40.Lq, 73.50.Pz, 85.60.Dn

 PDF версия (130Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster