Установлено, что электрическая проводимость нелегированных образцов гомоэпитаксиальных и поликристаллических алмазных пленок непосредственно связана с плотностью дислокаций в них. Получено выражение, связывающее удельное сопротивление $$rho ($~\; 1013-1015Ом$·см) с плотностью дислокаций $$Gamma ($~\; 1014-4$· 10¹⁶ м^-2). Характер этой зависимости для обеих групп гомоэпитаксиальных и поликристаллических алмазных пленок является близким. В тонких ($~1-8$ мкм) гомоэпитаксиальных и поликристаллических алмазных пленках наблюдается дислокационная проводимость по малоугловым дислокационным границам между блоками мозаики. Энергия активации дислокационных акцепторных центров определена из температурной зависимости электропроводности. Она равна $~0.3$ эВ. Электропроводность толстых алмазных пленок ($h>10$ мкм) с удельным сопротивлением $$rho~ 10⁸ Ом·см определяется проводимостью межкристаллитных границ, которые имеют неалмазную гидрогенезированную структуру.

Проводится сравнение электронных свойств алмазных пленок с электронными свойствами природных полупроводниковых алмазов типа II b и типа I c, у которых энергия активации дислокационных акцепторных центров равна $0.2-0.35$ эВ и которые определяют их дырочную проводимость.

PACS: 61.72.Dd, 61.72.Hh, 61.72.Lk, 72.80.-r