ФТП, 2009, том 43, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Замороженная фотопроводимость в твердых растворах MgZnO

А.Я.Поляков, Н.Б.Смирнов, А.В.Говорков, Е.А.Кожухова, H.S.Kim\kern1pt*,
D.P.Norton\kern1pt*, S.J.Pearton\kern1pt*, А.И.Белогорохов\kern1pt

ГНЦ << Гиредмет>>,
119017 Москва, Россия
* Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville,
Florida 32611, USA

(Получена 27 июля 2008 г. Принята к печати 2 сентября 2008 г.)

Проведены систематические исследования электрических характеристик и эффектов замороженной проводимости в твердых растворах MgZnO(P), выращенных методом импульсного лазерного распыления на нелегированных подложках n-ZnO. Показано, что в исходных неотожженных слоях наблюдается сильная замороженная проводимость и замороженная фотоемкость, связанные с присутствием электронных ловушек с высоким барьером для захвата электронов. Эти ловушки находятся в нижней половине запрещенной зоны, имеют оптический порог ионизации 2.8 эВ и высоту барьера для захвата электронов ~0.4 эВ. Наряду с такими центрами наблюдаются также дырочные ловушки с энергией ионизации 0.14 эВ. Отжиг при 850oC переводит материал в p-типа проводимости, в котором преобладают акцепторы с энергией активации ~0.2 эВ, связанные с фосфором. Наблюдается также компенсация проводимости и образование дырочных ловушек с энергией активации 0.14 и 0.84 эВ в подложке n-ZnO, что объясняется диффузией акцепторных дефектов в подложку при отжиге.

PACS: 63.20.Pw, 71.55.Gs, 72.80.Ey, 81.15.Fg

 PDF версия (156Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster