ФТП, 2009, том 43, выпуск 4
ФТП, 2009, том 43, выпуск 4
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Мощные лазеры ( нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs
А.Ю.Андреев , С.А.Зорина, А.Ю.Лешко, А.В.Лютецкий, А.А.Мармалюк, А.В.Мурашова,
Т.А.Налет, А.А.Падалица, Н.А.Пихтин, Д.Р.Сабитов, В.А.Симаков,
С.О.Слипченко, К.Ю.Телегин, В.В.Шамахов, И.С.Тарасов
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
ФГУП НИИ \glqq Полюс\grqq им. М.Ф. Стельмаха,
117342 Москва, Россия
(Получена 8 июля 2008 г. Принята к печати 18 июля 2008 г.)
|
Исследованы лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов AlGaAs. Проведено сравнение параметров лазерных диодов с симметричным узким и асимметричным широким волноводами. Показано, что максимальная оптическая мощность в данных лазерных диодах ограничена катастрофической оптической деградацией зеркал SiO/Si. В лазерных диодах с симметричным узким волноводом максимальная мощность составила 3 Вт, а c асимметричным широким волноводом --- 6 Вт. Показано, что повысить максимальную оптическую мощность можно за счет использования барьерного слоя SiN, который вводится между сколами лазерного диода и диэлектрическими покрытиями SiO/Si. Мощность при использовании барьерного слоя SiN в лазерном диоде с асимметричным широким волноводом составила 8.5 Вт. PACS: 42.55.Px |
| PDF версия (157Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |