ФТП, 2009, том 43, выпуск 4
ФТП, 2009, том 43, выпуск 4
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs
С.А.Блохин , А.В.Сахаров , А.М.Надточий , А.С.Паюсов , М.В.Максимов ,
Н.Н.Леденцов , А.Р.Ковш , С.С.Михрин , В.М.Лантратов ,
С.А.Минтаиров , Н.А.Калюжный , М.З.Шварц
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук,
195220 Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Innolume GmbH, Konrad-Adenauer-Allee 11,
44263 Dortmund, Germany
(Получена 8 июля 2008 г. Принята к печати 18 июля 2008 г.)
|
Исследованы особенности создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии однопереходных фотоэлектрических преобразователей AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs. Впервые показана принципиальная возможность бездислокационного внедрения вертикально-связанных квантовых точек в структуры фотоэлектрических преобразователей без видимого ухудшения структурного качества -перехода. Благодаря дополнительному поглощению в среде квантовых точек длинноволновой области солнечного спектра и последующему эффективному разделению фотогенерированных носителей заряда впервые в мире продемонстрировано увеличение () плотности тока короткого замыкания в фотоэлектрических преобразователях с квантовыми точками. Максимальное значение кпд реализованных фотоэлектрических преобразователей составило 18.3% при преобразовании прямого наземного солнечного спектра AM1.5G. PACS: 78.40.Fy, 78.67.Hc, 81.15.Hi, 84.60.Jt |
| PDF версия (668Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |