ФТП, 2009, том 43, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Светоизлучающая диодная линейка (lambda=3.7 мкм)
на основе InGaAsSb

А.Л.Закгейм\kern1pt*, Н.В.Зотова, Н.Д.Ильинская, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев,
М.А.Ременный, Н.М.Стусь, А.А.Усикова, А.Е.Черняков*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур
при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 8 июля 2008 г. Принята к печати 18 июля 2008 г.)

Приведены спектральные, вольт-амперные и ватт-амперные характеристики узкозонных диодных структур p-InAsSbP/n-InGaAsSb/n+-InAs с размерами активных элементов 130x130 мкм. Проведен анализ двумерного распределения излучения образцов, выполненных в виде излучающих флип-чип линеек 1x4, включая анализ однородности излучения, и определена предельная эффективная температура, создаваемая излучателем данного типа.

PACS: 73.40.Kp, 78.60.Fi, 85.60.Jb

 PDF версия (1.4Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster