| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP
В.В.Кабанов, Е.В.Лебедок, А.Г.Рябцев, Г.И.Рябцев, М.А.Щемелев,
В.В.Шерстнев, А.П.Астахова, Ю.П.Яковлев
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси,
220072 Минск, Беларусь
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской Академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 19 июня 2008 г. Принята к печати 8 июля 2008 г.)
|
Для дисковых лазеров на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP (длина волны генерации мкм) определены значения внутреннего квантового выхода люминесценции, а также скоростей излучательной и безызлучательной рекомбинации в интервале температур K. Установлено, что с ростом температуры относительный вклад скорости безызлучательной рекомбинации в величину плотности порогового тока возрастает с 89.9 до 92.8%. Показано, что наиболее вероятными механизмами безызлучательных переходов в дисковых гетеролазерах InAs/InAsSbP могут выступать оже-процессы CHCC и CHSH с участием фононов. Определены коэффициенты полных потерь для двух наблюдаемых на опыте полос генерации, и оценен максимальный уровень внутренних оптических потерь. Добротность резонатора дискового гетеролазера InAs/InAsSbP составляет величину . PACS: 42.55.Px, 78.20.Bh
|
| PDF версия (205Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |