ФТП, 2009, том 43, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP

В.В.Кабанов, Е.В.Лебедок, А.Г.Рябцев, Г.И.Рябцев\kern1pt, М.А.Щемелев,
В.В.Шерстнев\kern1pt+, А.П.Астахова\kern1pt+, Ю.П.Яковлев\kern1pt+

Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси,
220072 Минск, Беларусь
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской Академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 19 июня 2008 г. Принята к печати 8 июля 2008 г.)

Для дисковых лазеров на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP (длина волны генерации 3.03-3.06 мкм) определены значения внутреннего квантового выхода люминесценции, а также скоростей излучательной и безызлучательной рекомбинации в интервале температур 85-120 K. Установлено, что с ростом температуры относительный вклад скорости безызлучательной рекомбинации в величину плотности порогового тока возрастает с 89.9 до 92.8%. Показано, что наиболее вероятными механизмами безызлучательных переходов в дисковых гетеролазерах InAs/InAsSbP могут выступать оже-процессы CHCC и CHSH с участием фононов. Определены коэффициенты полных потерь для двух наблюдаемых на опыте полос генерации, и оценен максимальный уровень внутренних оптических потерь. Добротность резонатора дискового гетеролазера InAs/InAsSbP составляет величину ~104.

PACS: 42.55.Px, 78.20.Bh

 PDF версия (205Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster