ФТП, 2009, том 43, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние числа пар слоев на качество
сверхрешеток типа InxGa1-xAs/GaAs/.../(001)GaAs,
наращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии
при компьютерном управлении процессом изготовления

Г.Ф.Кузнецов

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
141190 Фрязино, Россия

(Получена 2 июля 2008 г. Принята к печати 2 сентября 2008 г.)

По заданной программе компьютерного управления процессом наращивания выращены сверхрешетки типа InxGa1-xAs/GaAs/.../(001)GaAs с числом пар чередующихся слоев N1=12, N2=6 и N3=3. Рентгеновскими методами количественного анализа измерены величины периодов T1=22 нм, T2=22.5 нм, T3=22.3 нм и концентрации InAs в твердом растворе x1=0.09, x2=0.091 и x3=0.092 в этих сверхрешетках. В сверхрешетке с N1=12 зарегистрирована пластическая деформация. В сверхрешетках с N2=6 и N3=3 пластическая деформация в процессе наращивания не произошла. Полученные величины периодов оказались примерно вдвое меньше и концентрация твердых растворов на одну треть меньше, чем задавалось компьютерной программой. Измеренные и рассчитанные величины упругих напряжений оказались равными sigma2N=2.43·106 Па и sigma2N-1=-0.88·109 Па, при которых в слоях сверхрешетки с N1=12 произошла пластическая деформация. В сверхрешетках с N2=6 и N3=3 упругие напряжения sigma2N=1.96·106 Па, sigma2N-1=-1.45·109 Па и sigma2N=0.99·106 Па, sigma2N-1=-1.88·109 Па соответственно. Они оказались недостаточными для инициирования процесса генерации дислокаций.

PACS: 81.07.St, 81.70.Fy, 61.05.cp

 PDF версия (526Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster