ФТП, 2009, том 43, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизмы легирования и интенсивность излучения внутрицентровых f\kern-1pt-f-переходов легирующей примеси Eu в структурах с квантовыми ямами InxGa1-xN/GaN

М.М.Мездрогина, В.В.Криволапчук, В.Н.Петров, Ю.В.Кожанова *,
Э.Ю.Даниловский *, Р.В.Кузьмин *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 11 июня 2008 г. Принята к печати 26 июня 2008 г.)

Исследовано влияние легирования европием на вид спектров излучения структур с квантовыми ямами на основе InxGa1-xN/GaN, на механизм легирования и интенсивность излучения внутрицентровых f-f-переходов Eu. По данным мессбауэровской спектроскопии, в зависимости от концентрации дефектов в структурах с квантовыми ямами легирующая примесь Eu может иметь зарядовое состояние примесного иона Eu2+ и Eu3+ или только Eu3+. В том случае, когда зарядовое состояние примесного иона равно Eu3+, наблюдается излучение внутрицентровых переходов 5D0-7F2 (lambda=6220 Angstrem). Если примесный ион может находиться в зарядовых состояниях Eu2+ и Eu3+, то не наблюдается излучения внутрицентровых переходов, характерных как для Eu2+, так и Eu3+.

PACS: 61.72.uj, 78.55.Cr, 78.67.De, 78.47.Cd

 PDF версия (2.0Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster