ФТП, 2009, том 43, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Теоретическое и экспериментальное исследование поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии
нитрида галлия

И.А.Бобровникова\kern1pt, И.В.Ивонин, В.А.Новиков, В.В.Преображенский\kern1pt+

Томский государственный университет,
634050 Томск, Россия
+ Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 20 мая 2008 г. Принята к печати 30 мая 2008 г.)

С помощью метода атомно-силовой микроскопии проведены экспериментальные исследования влияния условий роста на структуру поверхности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Получены количественные значения плотности, высоты и ширины центров роста в зависимости от условий эпитаксии, выполнены оценки средней длины диффузионного пробега частиц, лимитирующих скорость роста GaN, рассчитаны энергии активации и коэффициенты поверхностной диффузии для этих частиц. Проведены расчеты равновесного состава адсорбционных слоев на поверхности (0001) GaN в широком диапазоне температур осаждения и давлений галлия и азота с учетом следующих компонентов: атомы галлия, атомы азота и молекулы NH. На основании сопоставления экспериментальных данных по структуре поверхности GaN и расчетных данных по составу адсорбционных слоев на поверхности роста сделано предположение о том, что во всем диапазоне условий молекулярно-лучевой эпитаксии рост слоев GaN лимитируется доставкой галлия.

PACS: 68.35.Dv, 68.37.Ps, 68.47.Fg, 68.55.Ln

 PDF версия (241Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster