| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Фотоструктурные перестроения
полупроводниковых стекол AsS и AsSe
Г.А.Бордовский, С.А.Немов, Н.И.Анисимова, И.А.Дземидко, А.В.Марченко, П.П.Серегин
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена,
191186 Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 27 мая 2008 г. Принята к печати 5 мая 2008 г.)
|
Приведены результаты экспериментального исследования фотоиндуцированных изменений оптических свойств полупроводниковых стекол систем AsSe и AsS. С использованием данных эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе обнаруженные изменения оптических свойств объясняются перестройкой матрицы стекла под действием излучения. PACS: 61.43.Fs, 63.50.Lm, 76.80.+y, 78.66.Jg |
| PDF версия (139Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |