ФТП, 2009, том 43, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоструктурные перестроения
полупроводниковых стекол As-S и As-Se

Г.А.Бордовский, С.А.Немов\kern1pt*, Н.И.Анисимова, И.А.Дземидко, А.В.Марченко, П.П.Серегин\kern1pt

Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена,
191186 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 27 мая 2008 г. Принята к печати 5 мая 2008 г.)

Приведены результаты экспериментального исследования фотоиндуцированных изменений оптических свойств полупроводниковых стекол систем As-Se и As-S. С использованием данных эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 129Te(129I) обнаруженные изменения оптических свойств объясняются перестройкой матрицы стекла под действием излучения.

PACS: 61.43.Fs, 63.50.Lm, 76.80.+y, 78.66.Jg

 PDF версия (139Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster