ФТП, 2009, том 43, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние параметров Ge(Si)/Si(001) самоформирующихся островков на их электролюминесценцию при комнатной температуре

Д.Н.Лобанов\kern1pt, А.В.Новиков, К.Е.Кудрявцев, Д.В.Шенгуров, Ю.Н.Дроздов,
А.Н.Яблонский, В.Б.Шмагин, З.Ф.Красильник, Н.Д.Захаров\kern1pt*, P.Werner\kern1pt*

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik,
06120 Halle/Saale, Germany

(Получена 2 июня 2008 г. Принята к печати 20 июня 2008 г.)

Выполнены исследования электролюминесценции многослойных p-i-n-структур с самоформирующимися Ge(Si)/Si(001)-островками. Обнаружено, что структуры с островками, выращенными при 600oC, обладают наибольшей интенсивностью сигнала электролюминесценции при комнатной температуре в области длин волн 1.3-1.55 мкм. Отжиг структур с Ge(Si)-островками приводит к увеличению интенсивности сигнала ЭЛ при низких температурах, но ухудшает температурную стабильность этого сигнала, что связывается с дополнительной диффузией Si в островки во время отжига. Обнаруженный существенный рост интенсивности сигнала электролюминесценции с увеличением толщины разделительного Si-слоя связывается с уменьшением упругих напряжений в структуре с увеличением толщины этого слоя. Наибольшее значение внешней квантовой эффективности ЭЛ в области длин волн 1.3-1.55 мкм, полученное в исследованных структурах, при комнатной температуре составило 0.01%.

PACS: 73.40.Lq, 78.55.-m, 78.60.Fi, 78.67.Hc

 PDF версия (489Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster