ФТП, 2009, том 43, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности инфракрасных спектров отражения полупроводникового SmS в области гомогенности

Ю.В.Улашкевич\kern1pt, В.В.Каминский, А.В.Голубков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 3 июня 2008 г. Принята к печати 16 июня 2008 г.)

На поликристаллических образцах моносульфида самария в полупроводниковой фазе с составами Sm1+xS, лежащими внутри области гомогенности (0=<q x=<q0.17), измерены инфракрасные спектры отражения в диапазоне 5200-380 см-1 в интервале температур 300-600 K. Обнаружены 5 пиков с энергиями, лежащими в интервале 1150-880 см-1, положение которых слабо зависит от состава и температуры. Показано, что пики отражения связаны с переходами 7F0-7F2 4f-электронов ионов Sm2+.

PACS: 71.20.Eh, 71.20.Nr, 78.30.Hv

 PDF версия (307Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster