ФТП, 2009, том 43, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Моделирование солнечных элементов с квантовыми ямами и сравнение с обычными солнечными элементами

А.В.Саченко, И.О.Соколовский

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 24 марта 2008 г. Принята к печати 13 мая 2008 г.)

С помощью программы SimWindows выполнено моделирование эффективности фотопреобразования солнечных элементов на основе GaAs с квантовыми ямами из InGaAs в условиях АМ 1.5 при различных уровнях легирования базы. Проведено сравнение полученных результатов с эффективностью фотопреобразования обычных солнечных элементов. Показано, что солнечные элементы с квантовыми ямами могут иметь достаточно большую эффективность фотопреобразования по сравнению с эффективностью фотопреобразования обычных солнечных элементов при следующих условиях: а) времена жизни носителей заряда в квантовых ямах больше, чем в барьерном материале, б) уровень легирования базы не очень высокий. Установлено, что максимальная эффективность фотопреобразования обычных солнечных элементов больше, чем эффективность фотопреобразования солнечных элементов с квантовыми ямами. Она достигается при больших уровнях легирования базы (~3· 1018 см-3 при использованных для расчета параметрах). Это связано с более сильной излучательной рекомбинацией, а также с особенностями экранирования и токопрохождения в солнечных элементах с квантовыми ямами при высоких уровнях легирования. Показано, что при достаточно больших значениях степени концентрации освещения величины эффективности фотопреобразования в солнечных элементах с квантовыми ямами для низких и высоких уровней легирования базы сближаются.

PACS: 73.63.Hs, 84.60.Jt, 81.07.St, 85.35.Be, 73.40.Kp

 PDF версия (179Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster