ФТП, 2009, том 43, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Транспорт в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs
с узкими запрещенными мини-зонами:
эффекты межминизонного туннелирования

А.А.Андронов, Е.П.Додин, Д.И.Зинченко, Ю.Н.Ноздрин

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 3 апреля 2008 г. Принята к печати 22 апреля 2008 г.)

Представлены результаты экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик сверхрешеток на основе GaAs--AlxGa1-xAs с узкими барьерами в области электрических полей, где имеется интенсивное межминизонное туннелирование. Обнаружены регулярные особенности на вольт-амперных характеристиках в области напряжений, отвечающих статической положительной дифференциальной проводимости в сверхрешетке. На основании расчетов уровней Ванье--Штарка установлено, что наблюдаемые особенности связаны с резонансным туннелированием между этими уровнями, относящимися к квантовым ямам, расположенным на расстоянии до 6-13 периодов сверхрешетки друг от друга. Отмечено, что подобная резонансная делокализация волновых функций Ванье--Штарка может привести к существованию в таких сверхрешетках динамической отрицательной дифференциальной проводимости лазерного типа заметной величины.

PACS: 73.21.Cd, 72.20.Ht, 72.30.+q, 73.40.Gk

 PDF версия (752Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster