| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Магнитопоглощение электромагнитного излучения двумерным электронным газом со спин-орбитальным взаимодействием Рашбы в гетеропереходе с поверхностной сверхрешеткой
А.А.Перов, Л.В.Солнышкова
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
(Получена 17 января 2008 г. Принята к печати 4 марта 2008 г.)
|
С учетом спин-орбитального взаимодействия Рашбы и зеемановского расщепления впервые аналитически и численно изучено поглощение электромагнитного излучения линейной поляризации двумерным электронным газом поверхностной сверхрешетки, помещенной в перпендикулярное магнитное поле. Расчеты спектров поглощения проведены для полупроводниковых гетероструктур, характеризующихся как слабым (AlGaAs/GaAs), так и достаточно сильным (GaAs/InGaAs) спин-орбитальным взаимодействием. Изучена природа нового эффекта, связанного с интенсивным магнитопоглощением электромагнитного излучения субмиллиметрового диапазона двумерным электронным газом сверхрешетки с сильным спин-орбитальным взамодействием. Определены оптимальные параметры полупроводниковых структур со спин-орбитальным взаимодействием и величины магнитных полей, при которых возможна постановка магнитооптических экспериментов по исследованию спин-пайерлсовских состояний носителей. PACS: 71.70.Ej, 71.70.Di, 78.70.Pt |
| PDF версия (281Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |