ФТП, 2009, том 43, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние gamma-облучения на механизм переноса тока
в гетероструктурах n-CdS/p-CdTe

С.А.Музафарова, Ш.А.Мирсагатов, Ф.Н.Джамалов

Физико-технический институт,
Научно-производственное объединение \glqq Физика солнца\grqq
Академии наук Республики Узбекистан,
700084 Ташкент, Узбекистан

(Получена 13 марта 2008 г. Принята к печати 27 марта 2008 г.)

Рассматривается влияние облучения gamma-квантами на механизм переноса тока в гетероструктуре n-CdS/p-CdTe. Показано, что прямая вольт-амперная характеристика гетероструктуры n-CdS/p-CdTe до и после облучения описывается двумя экспоненциальными зависимостями: I=I0exp(qV/C01kT) и I=I02exp(qV/C02kT). Выявлено, что на первом участке вольт-амперной характеристики ток ограничивается термоэлектронной эмиссией, на втором участке --- рекомбинацией неравновесных носителей заряда в электронейтральной части твердого раствора CdTe1-xSx на гетерогранице n-CdS/p-CdTe. Аномальные дозовые зависимости параметров гетеросистемы n-CdS/p-CdTe объяснены изменением степени компенсации локальных центров на границе раздела CdS--CdTe1-xSx и в слоях CdTe1-xSx в зависимости от дозы облучения gamma-квантами.

PACS: 73.61.Ga, 73.40.Lq, 61.82.Fk, 71.55.Gs, 81.40.Wx

 PDF версия (272Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster