ФТП, 2009, том 43, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние сегрегационных эффектов на спектры электролюминесценции квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

Р.Х.Акчурин, А.Ю.Андреев\kern1pt*, Л.Б.Берлинер, О.И.Говорков\kern1pt+, В.П.Дураев\kern1pt+, А.А.Малджы\kern1pt,
А.А.Мармалюк\kern1pt*, А.А.Падалица\kern1pt*, А.В.Петровский\kern1pt*, Д.Р.Сабитов\kern1pt*, А.В.Сухарев\kern1pt*

Московская академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова,
119571 Москва, Россия
* ООО \glqq Сигм Плюс\grqq,
117342 Москва, Россия
+ ФГУП \glqq НИИ \glqq Полюс\grqq им. М.Ф. Стельмаха\grqq,
117342 Москва, Россия

(Получена 28 декабря 2007 г. Принята к печати 14 марта 2008 г.)

Поверхностная сегрегация в процессе эпитаксиального роста напряженных квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs в значительной мере искажает номинальный концентрационный профиль квантовых ям. Учет влияния на сегрегацию условий роста и упругих напряжений, возникающих в процессе эпитаксии, позволил с высокой точностью смоделировать концентрационный профиль и рассчитать длину волны электролюминесценции реальных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs. Показано, что наблюдаемый эффект длинноволнового смещения длины волны межзонного перехода в практически важном случае гетероструктур с двумя близко расположенными квантовыми ямами обусловлен влиянием упругих напряжений в процессе роста.

PACS: 78.60.Fi, 78.67.De, 68.65.Fg, 81.07.St

 PDF версия (677Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster