ФТП, 2009, том 43, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рост и электрофизические свойства
гетероструктур Si/Ge-на-изоляторе, сформированных методом ионной имплантации и последующего водородного переноса

И.Е.Тысченко , М.Фельсков *, А.Г.Черков, В.П.Попов

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Институт ионно-лучевой физики, Исследовательский центр Россендорф,
Д-01314 Дрезден, Германия

(Получена 4 марта 2008 г. Принята к печати 27 марта 2008 г.)

Исследованы закономерности эндотаксиального роста промежуточных слоев германия на границе сращивания структуры кремний-на-изоляторе из имплантированного ионами Ge+ захороненного слоя SiO2 в зависимости от температуры отжига. На основе результатов высокоразрешающей микроскопии и термодинамического анализа системы Si/Ge/SiO2 сделано предположение о том, что эндотаксиальный рост слоя Ge происходит через образование расплава за счет ускоренной сегрегации и накопления Ge на границе Si/SiO2. Изучено влияние германия на границе сращивания на холловскую подвижность дырок в слоях кремния нанометровой толщины. Обнаружено, что структуры с толщиной отсеченного слоя кремния 3-20 нм, содержащие германий, обладают подвижностью дырок, в 2-3 раза превышающей подвижность дырок в соответствующих структурах кремний-на-изоляторе без германия.

PACS: 61.72.Ww, 68.55.-a, 73.40.Ty, 73.50.Dn, 81.20.Vj, 81.40.Ef

 PDF версия (792Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster