ФТП, 2008, том 42, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности формирования нитевидных нанокристаллов GaAs на различных поверхностях кремния при молекулярно-пучковой эпитаксии

Ю.Б.Самсоненко *,+,x,, Г.Э.Цырлин *,+,x, В.А.Егоров *,x,
Н.К.Поляков *,+,x, В.П.Улин +, В.Г.Дубровский +,x

* Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
198103 Санкт-Петербург, Россия
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
x Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук,
195220 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 23 апреля 2008 г. Принята к печати 12 мая 2008 г.)

Представлены результаты экспериментального исследования роста, морфологии и структуры нитевидных нанокристаллов GaAs на различных поверхностях кремния. Показано, что рост в непланарной геометрии позволяет выращивать эпитаксиальные нитевидные нанокристаллы (ННК) в системе с большим рассогласованием решеток. Проведены исследования и анализ роста на пористых подложках, влияния ориентации поверхности, высокотемпературного отжига, наличия окисного слоя и некоторых других эффектов, характерных для роста ННК AIIIBV на поверхности Si. Получено интенсивное излучение от массива GaAs ННК, выращенных на поверхности Si(111).

PACS: 68.37.Hk, 68.70.+w, 81.05.Ea, 81.07.-b, 81.15.Hi, 81.40.Tv

 PDF версия (3.8Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster