ФТП, 2008, том 42, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

К вопросу радиационной стойкости SiC при чередовании стадий облучения и отжига

А.М.Иванов , Н.Б.Строкан, А.А.Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 14 апреля 2008 г. Принята к печати 28 апреля 2008 г.)

Результаты воздействия на свойства SiC цикла \glqq введение дефектов--отжиг--повторное введение дефектов\grqq исследованы с помощью техники ядерной спектрометрии на примере деградации характеристик p-n-детекторов ядерного излучения. Облучение проводилось протонами с энергией 8 МэВ равными дозами по 3·1014 см-2. Суммарная доза 6·1014 см-2 соответствовала введению 2.4·1017 см-3 первично смещенных атомов. Отжиг проходил в две стадии длительностью 1 ч каждая при температурах 600 и 700oC.

Детекторы тестировались alpha-частицами с энергией 5.4 МэВ и определялись эффективность переноса заряда и особенности формы амплитудного спектра. Измерения проводились в интервале 20-250oC. Показано, что воздействие первой дозы и последующего отжига не изменяет существенным образом стойкости SiC. В ходе второй (равной первой) дозы значение эффективной концентрации введенных центров оказывается в 1.2 раза большим. Неэквивалентность доз можно также отнести к влиянию значительной величины суммарной дозы протонов --- 6·1014 см-2.

PACS: 61.82.Fk, 61.80.-x

 PDF версия (300Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster