ФТП, 2008, том 42, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрические свойства гетероэпитаксиальных слоев HgCdTe n-типа проводимости, модифицированных ионным травлением

М.Поцяск $$, И.И.Ижнин *, С.А.Дворецкий +, Н.Н.Михайлов +,
Ю.Г.Сидоров +, В.С.Варавин +, К.Д.Мынбаев \#, В.И.Иванов-Омский \#

$$ Институт физики Университета Жешув,
35-310 Жешув, Польша
* НИИ материалов НПП \glqq Карат\grqq,
79031 Львов, Украина
+ Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
\# Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 27 марта 2008 г. Принята к печати 7 апреля 2008 г.)

Исследованы электрические свойства модифицированных ионным травлением гетероэпитаксиальных слоев HgCdTe n-типа проводимости, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией, нелегированных и легированных в процессе роста индием. Установлено, что в этих структурах присутствуют исходно нейтральные дефекты с концентрацией ~1017 см-3, которые активируются ионным травлением и образуют донорные центры. Сопоставление полученных экспериментальных результатов с литературными данными показывает, что эти дефекты формируются на стадии роста структур. После остановки ионного травления донорные центры распадаются и через ~5·103 мин концентрация электронов в структурах стабилизируется. Полученные данные позволяют определять количество индия, требуемое для получения воспроизводимой концентрации электронов в n-областях фотодиодных структур на основе HgCdTe, сформированных ионным травлением.

PACS: 61.72.Vv, 61.80.Jh, 66.30.Jt, 73.61.Ga

 PDF версия (154Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster