ФТП, 2008, том 42, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Гигантский всплеск ударной ионизации в p-n-переходе политипа 6H-SiC

В.И.Санкин\kern1pt, П.П.Шкребий

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 21 февраля 2008 г. Принята к печати 3 марта 2008 г.)

Исследование электронного компонента ударной ионизации в p+-n--n+-переходе политипа 6H-SiC привело к обнаружению гигантского всплеска ударной ионизации и возникновению сверхраннего лавинного пробоя. Электрическое поле такого пробоя на ~20% меньше электрического поля пробоя, возникающего при монотонном развитии ударной ионизации. Интересно, что это происходит внезапно, без каких-либо видимых признаков, в частности без возрастания темнового тока, характерного для предпробойного состояния p-n-перехода. Условия возникновения необычного пробоя и его свойства позволили сделать предположение о нелинейных процессах, приводящих к образованию стримера. В плоскости p-n-перехода данный эффект выглядит как светящийся трек шириной ~10 мкм. Эффект происходит в режиме ванье-штарковских лестниц состояний. Последний может стимулировать локальное накопление заряда и образование стримерной структуры.

PACS: 73.50.Mx, 73.40.Lq

 PDF версия (206Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster