| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Влияние электрического поля при получении пленок -SiO : H методом магнетронного распыления на постоянном токе на их состав и интенсивность фотолюминесценции ионов эрбия
Ю.К.Ундалов, Е.И.Теруков, О.Б.Гусев, В.М.Лебедев, И.Н. Трапезникова
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова Российской академии наук,
188300 Гатчина, Россия
(Получена 23 января 2008 г. Принята к печати 28 января 2008 г.)
|
Исследовано влияние электрического поля на элементный состав и фотолюминесценцию пленок аморфного гидрогенизированного кремния, легированного эрбием и кислородом (-SiO : H), при получении их методом магнетронного распыления на постоянном токе. Изучались две серии пленок в зависимости от напряженности электрического поля магнетрона, от площади металлической эрбиевой мишени и от содержания кислорода в рабочей камере. Первая серия пленок была получена при электрически изолированном подложкодержателе, вторая --- при положительном потенциале на подложкодержателе относительно катода. Показано, что, хотя характер изменения элементного состава и интенсивность фотолюминесценции ионов эрбия Er в пленках двух серий значительно различаются, в обоих случаях они, в итоге, определяются процессами распыление--окисление Si- и Er-мишений, являющихся катодом. PACS: 78.55.Qr, 81.05.Gc, 81.15.Jj |
| PDF версия (733Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2008, Коллектив авторов Разработано... webmaster |