ФТП, 2008, том 42, выпуск 11: page 1345...

ФТП, 2008, том 42, выпуск 11

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Зависимость механизма протекания тока в сплавном омическом контакте In-- $n$ -GaN от концентрации основных носителей заряда

В.Н.Бессолов, Т.В.Бланк, Ю.А.Гольдберг, О.В.Константинов, Е.А.Поссе

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 6 марта 2008 г. Принята к печати 11 марта 2008 г.)

На основании исследования температурной зависимости сопротивления сплавных омических контактов In--

n

-GaN обнаружено, что механизм протекания тока в них существенно зависит от концентрации

N

нескомпенсированных доноров в GaN: при

N=5

·10¹⁶-1·10¹⁸ см

^-3 основным является протекание тока по металлическим шунтам, а при

N<= 8

·10¹⁸ см

^-3 --- туннелирование.

PACS: 73.40.Cg, 73.40.Ns