ФТП, 2008, том 42, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Статические вольт-амперные характеристики туннельных МДП структур Au/CaF2/n-Si(111)

С.М.Сутурин, А.Г.Банщиков, Н.С.Соколов, С.Э.Тягинов, М.И.Векслер

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 28 января 2008 г. Принята к печати 4 февраля 2008 г.)

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии изготовлены структуры Au/CaF2/n-Si(111), демонстрирующие меньшие токи при заданной толщине пленки фторида (1.5-2 нм), чем все аналогичные структуры, исследованные ранее. Показано, что при положительном напряжении на металле ток соответствует расчету в рамках модели с сохранением поперечной компоненты волнового вектора при туннельном переносе. Проанализированы относительные роли электронной и дырочной компонент при прямом и обратном смещении. Оценено влияние неоднородности распределения толщины диэлектрика по площади на величины измеряемых токов. Полученные тонкие слои CaF2 потенциально пригодны для использования в качестве барьерных слоев в различных приборах функциональной электроники.

PACS: 73.40.Gk, 73.40.Qv, 68.37.Ps, 81.15.Hi

 PDF версия (4.7Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster