ФТП, 2008, том 42, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Структурные и энергетические характеристики собственных дефектов вакансионного типа в двуосно-напряженной решетке GaN

Т.В.Безъязычная, В.М.Зеленковский, А.Л.Гурский, Г.И.Рябцев

Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси,
220072 Минск, Беларусь

(Получена 18 декабря 2007 г. Принята к печати 4 февраля 2008 г.)

Для двуосно-напряженных кластеров GaN квантово-химическим методом в приближении ССП МО ЛКАО рассчитаны структура, заряды и энергии образования собственных вакансий галлия и азота с учетом релаксации кристаллического окружения. Установлено, что применение подложек, вносящих в эпитаксиальный слой напряжения сжатия или растяжения, оказывает влияние на концентрации собственных точечных дефектов вакансионного типа. Наиболее сильно данный эффект проявляется в подрешетке азота в кристаллической решетке GaN, особенно при ее растяжении, т. е. при эпитаксиальном росте нитрида галлия на кремниевой подложке. Перераспределение электронной плотности в области дефекта при сжатии или растяжении решетки может быть причиной изменения положения электронных уровней дефектов в запрещенной зоне кристалла.

PACS: 71.15.Ap, 71.55.Eq

 PDF версия (203Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster