ФТП, 2008, том 42, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности использования широкозонных полуизолирующих материалов в задачах регистрации ядерного излучения

А.М.Иванов\kern1pt, Н.Б.Строкан, А.А.Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена в Редакцию 27 декабря 2007 г. Принята к печати 9 января 2008 г.)

Работа детекторов в сильных полях радиации или несовершенная технология приводит к возникновению в материалах значительного количества дефектов структуры. Для минимизации накопления объемного заряда (вследствие долговременного захвата носителей на глубокие уровни) рассматривается включение p+-nu-n+-структуры детектора в нетрадиционном пропускном направлении.

На примере CVD-пленки 4H-SiC, содержащей до 2.5· 1017 см-3 первично смещенных атомов, прослежены эффективность транспорта носителей и спектр амплитуд сигналов в функции величины прилагаемого напряжения и времени формирования сигнала электроникой. Тестирование осуществлялось alpha-частицами с энергией 5.4 МэВ в температурном диапазоне 20-140oC. Несмотря на перенос всего 1/4 доли заряда, основная линия спектра имеет высокое для данных условий разрешение по энергии (7%).

PACS: 61.82.Fk, 61.80.-x

 PDF версия (250Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster