ФТП, 2008, том 42, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Магнитофотолюминесценция в разъединенном гетеропереходе II типа n-GaInAsSb/p-InAs

К.Д.Моисеев\kern1pt, М.П.Михайлова, Ю.П.Яковлев, К.Королев\kern1pt*, C.Meinning\kern1pt+, B.McCombe\kern1pt+

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Медико-технологическая ассоциация \glqq Крайне высокие частоты\grqq,
125009 Москва, Россия
+ Департамент физики, Университет Буффало,
Буффало, США

(Получена 15 января 2008 г. Принята к печати 29 января 2008 г.)

Исследована магнитофотолюминесценция в спектральном диапазоне 0.3-0.8 эВ в одиночной разъединенной гетероструктуре II типа n-Ga0.94In0.06As0.13Sb0.87/p-InAs с двумерным электронным каналом на гетерогранице, содержащим две заполненные электронные подзоны, в сильных магнитных полях до 10 T при низких температурах (T=7 K). В интервале энергий фотонов 0.5-0.8 эВ наблюдалась объемная фотолюминесценция в слое твердого раствора n-GaInAsSb. В низкоэнергетической части спектра (03-0.45 эВ) обнаружены три узких полосы излучения с энергиями фотонов hnua=0.419, hnub=0.404 и hnuc=0.384 эВ с полушириной пиков FWHM = 4-7 мэВ, обусловленные излучательными переходами двумерных электронов, локализованных в квантовой яме на стороне InAs вблизи гетерограницы II типа. Оценено значение эффективной массы электронов в заполненной подзоне E2 (m2=0.027m0), которая близка к значению эффективной массы на дне зоны проводимости InAs.

PACS: 78.67.-n; 78.55.Cr; 75.70.Cn

 PDF версия (610Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster