ФТП, 2008, том 42, выпуск 9: page 1122...

ФТП, 2008, том 42, выпуск 9

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Эмиссия электронов из многослойных ансамблей вертикально связанных квантовых точек InAs в матрице $n$ -GaAs

А.А.Гуткин^\kern1pt, П.Н.Брунков, А.Ю.Егоров^\kern1pt+, А.Е.Жуков^\kern1pt+, С.Г.Конников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
⁺ Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук
195220 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 24 декабря 2007 г. Принята к печати 29 декабря 2007 г.)

Методом адмиттанс-спектроскопии в структурах с барьером Шоттки проведено исследование эмиссии электронов из многослойных массивов вертикально связанных квантовых точек InAs в матрицу

n

-GaAs (концентрация электронов

n~2

·10¹⁶ см

^-3). Установлено, что в области температур ниже

~70

K эмиссия электронов в диапазоне темпов

3

·10⁴-3·10⁶ c

^-1 происходит путем термически активированного туннелирования через промежуточные виртуальные состояния. При увеличении числа слоев в массиве квантовых точек от 3 до 10 наблюдается уменьшение скорости эмиссии электронов.

PACS: 73.21.La, 73.63.Kv

PDF версия (275Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2008, Коллектив авторов Разработано... webmaster