ФТП, 2008, том 42, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние электрического поля на фотоэффект в барьерах Шоттки на электронном дифосфиде кадмия

И.Г.Стамов , Д.В.Ткаченко

Приднестровский государственный университет,
3300 Тирасполь, Молдавия

(Получена 14 ноября 2007 г. Принята к печати 29 ноября 2007 г.)

Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств барьеров Шоттки на CdP2 n-типа проводимости. Изучено влияние электрического поля барьера на фототоки, связанные с фотоэлектронной эмиссией из металла и оптической генерацией неравновесных носителей заряда в полупроводнике. Установлено, что зависимость фототока от частоты модуляции интенсивности светового потока определяется временами перезарядки уровней на границах области пространственного заряда (ОПЗ) с областью квазинейтральности и полупроводника с металлом. Получено хорошее согласие между теоретическими и экспериментальными результатами.

PACS: 73.30.+y, 73.40.Cg, 73.40.Ei, 73.50.Pz

 PDF версия (515Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster