ФТП, 2008, том 42, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Цикличность сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения света, возникающей при накачке и стимулированном
излучении в GaAs

Н.Н.Агеева, И.Л.Броневой , А.Н.Кривоносов, Т.А.Налет *

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
125009 Москва, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 11 сентября 2007 г. Принята к печати 25 декабря 2007 г.)

Во время пикосекундной фотогенерации носителей заряда и интенсивного собственного стимулированного излучения в GaAs происходит сверхбыстрая автомодуляция спектра поглощения света. Под модуляцией подразумевается образование на спектре локальных усилений поглощения (выступов). Обнаружена цикличность сверхбыстрой автомодуляции, заключавшаяся в том, что форма автомодуляции спектра (количество и спектральное положение выступов) повторялась через некоторое время Tc, относящееся к пикосекундному диапазону. Изменения Tc в течение импульса накачки и при увеличении энергии этого импульса обнаружили зависимость времени цикла Tc от интенсивности накачки. В предположении, что автомодуляция поглощения света отображает автомодуляцию энергетического распределения носителей заряда, эксперимент обнаружил следующее. В процессе сверхбыстрой автомодуляции отклонения заселенностей разных энергетических уровней от фермиевского распределения меняются со временем взаимосвязано, распределение обеднений заселенности в зоне проводимости циклически повторяется во времени, время цикла уменьшается при возрастании интенсивности накачки GaAs.

PACS: 42.65.Re, 71.35.Ee, 72.30.+q, 78.30.Fs, 78.45.+h, 78.47.-p

 PDF версия (298Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster