ФТП, 2008, том 42, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О механизме токопереноса, обусловленном дислокациями в нитридгаллиевых диодах Шоттки

А.Е.Беляев, Н.С.Болтовец *, В.Н.Иванов *, В.П.Кладько, Р.В.Конакова ,
Я.Я.Кудрик, А.В.Кучук, В.В.Миленин, Ю.Н.Свешников $, В.Н.Шеремет

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина,
* Государственное предприятие НИИ \glqq Орион\grqq,
03057 Киев, Украина
$ ЗАО \glqq Элма-Малахит\grqq,
124460 Москва, Россия

(Получена 12 сентября 2007 г. Принята к печати 15 ноября 2007 г.)

Исследован механизм токопереноса в диодах Шоттки Au--TiBx-n-GaN, область пространственного заряда в которых значительно превышает длину волны де Бройля в GaN. Анализ температурных зависимостей вольт-амперных характеристик (ВАХ) прямосмещенных барьеров Шоттки показал, что в интервале температур 80-380 K токоперенос осуществляется туннелированием вдоль дислокаций, пересекающих область пространственного заряда. Оценка плотности дислокаций rho из вольт-амперных характеристик в соответствии с моделью туннелирования по дислокационной линии дает величину rho~1.7·107 см-2, что близко по величине к плотности дислокаций, измеренной методом рентгеновской дифрактометрии.

PACS: 73.23.-b, 73.40.Sx, 73.40.Gk, 73.43.Jn

 PDF версия (343Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster