ФТП, 2008, том 42, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Каскадный лазер на мелких донорах в delta-легированных сверхрешетках GaAs/AlGaAs

Н.А.Бекин\kern1pt, В.Н.Шастин

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 8 октября 2007 г. Принята к печати 10 октября 2007 г.)

Теоретически анализируется возможность усиления электромагнитных волн терагерцового диапазона частот на оптических переходах между состояниями двумерного континуума и мелких доноров в сверхрешетках GaAs/AlGaAs с селективным delta-легированием квантовых ям. Механизм требуемой инверсной населенности состояний основывается на использовании эффекта гибридизации состояний соседних квантовых ям, связанных благодаря туннелированию электронов через барьер, в условиях вертикального транспорта. Показано, что при плотности легирования 5· 1010 см-2 на каскад коэффициент усиления может достигать 50 см-1 на длинах волн 100-120 мкм. Плотность тока в рабочем режиме составляет ~ 50 А/см2.

PACS: 42.55.Px, 73.21.Cd, 73.21.Fg, 78.67.De

 PDF версия (246Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster