ФТП, 2008, том 42, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллических соединений AgCd2GaS4

Л.В.Булатецкая , В.В.Божко, Г.Е.Давидюк, О.В.Парасюк

Волынский национальный университет им. Леси Украинки,
43025 Луцк, Украина

(Получена 31 июля 2007 г. Принята к печати 21 августа 2007 г.)

Исследовались малоизученные монокристаллические соединения AgCd2GaS4, которые кристаллизуются в ромбической структуре (пространственная группа Pmn21). Нарушение стехиометрии образцов и статистическое заполнение ионами атомов Ag и Ga катионной подрешетки ведет к нарушению дальнего порядка в расположении атомов и приближает соединения AgCd2GaS4 к неупорядоченным системам. При этом наблюдается размытие и смещение в длинноволновую область края полосы собственного поглощения, которая хорошо описывается правилом Урбаха, а также расширение спектров фотопроводимости и люминесценции. Рассчитана концентрация точечных заряженных дефектов, ответственных за размытие края поглощения. Она оказалась равной 1.2·1020 см-3. Монокристаллы AgCd2GaS4 являются фоточувствительными полупроводниками. По положению края поглощения была оценена оптическая ширина запрещенной зоны соединения (Eg0~2.28 эВ при T~297 K). Спектры фотолюминесценции монокристаллов AgCd2GaS4 подобны таковым, которые имеют место в дефектных монокристаллах CdS с положением максимумов излучения, сдвинутым по отношению к максимумам в CdS в длинноволновую область на величину Deltalambda~0.06-0.1 мкм. Из анализа экспериментальных данных делаются выводы о природе фотоактивных центров в соединениях AgCd2GaS4.

PACS: 72.40.+w, 74.70.Dd, 78.55.-m

 PDF версия (186Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster