ФТП, 2008, том 42, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным delta-легированием

В.И.Шашкин\kern1pt, А.В.Мурель

Институт физики микроструктур Росийской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 28 июня 2007 г. Принята к печати 28 августа 2007 г.)

Разработана методика диагностики параметров низкобарьерных диодов Шоттки, основанная на анализе зависимости дифферениального сопротивления диода с барьером Мотта и приповерхностным delta-легированием. Показано, что возможно полное описание вольт-амперных характеристик диода при учете последовательно включенного n--n+-перехода. Методика позволяет оптимизировать диоды для достижения более высокой чувствительности при детектировании.

PACS: 73.61.Ey, 73.30.+y, 73.63.-b, 73.40.Gk, 73.43.Cd

 PDF версия (155Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster