ФТП, 2008, том 42, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование начальных стадий роста Mg на Si(111) при комнатной температуре методами оптической и электронной спектроскопии

К.Н.Галкин, С.А.Доценко, Н.Г.Галкин, M.Kumar +, Govind+, S.M.Shivaprasad +

Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук,
690041 Владивосток, Россия
+ Surface Physics and Nanostructures Group, National Physical Laboratory,
Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi, India

(Получена 16 августа 2007 г. Принята к печати 21 августа 2007 г.)

С использованием методов дифракции медленных электронов, спектроскопии характеристических потерь энергии электронами и дифференциальной отражательной спектроскопии исследованы начальные стадии роста пленки Mg на Si(111) при комнатной температуре. В исследованном диапазоне значений толщины пленки магния (h=0-0.2 нм) обнаружено формирование полупроводникового силицида магния (Mg2Si), являющегося перспективным материалом для создания кремний-силицидных термоэлементов. При малой толщине осажденной пленки формируются идентичные кластеры Mg2Si. Увеличение количества атомов Mg приводит к формированию двумерных, а затем и трехмерных островков Mg2Si. Для всех структур получены спектры функции изменения оптического отклика deltaLambda''theta, являющиеся характеристикой их оптических свойств.

PACS: 78.20.Ci, 78.67.Bf, 78.67.Hc, 81.07.Bc, 81.15.Ef, 82.80.Pv

 PDF версия (319Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster