ФТП, 2008, том 42, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Малошумящие фотодиоды на основе двойной гетероструктуры GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb для спектрального диапазона 1-4.8 мкм

Б.Е.Журтанов, Н.Д.Ильинская, А.Н.Именков\kern1pt, М.П.Михайлова, К.В.Калинина,
М.А.Сиповская, Н.Д.Стоянов, Ю.П.Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 17 сентября 2007 г. Принята к печати 26 сентября 2007 г.)

Исследованы фотодиодные гетероструктуры n-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb с красной границей фоточувствительности 4.8 мкм. Показано, что большое содержание In в узкозонном слое и Al в широкозонном слое приводит к улучшению фотоэлектрических параметров за счет устранения туннельной утечки перехода n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb. Получена обнаружительная способность D*lambda=1.1·109 смГц1/2Вт-1 при комнатной температуре.

PACS: 85.60.Dw, 79.60.Jv

 PDF версия (197Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster