ФТП, 2008, том 42, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Термостойкий диод Шоттки TiBx-n-GaP

А.Е.Беляев, Н.С.Болтовец\kern1pt*, В.Н.Иванов\kern1pt*, А.Б.Камалов, Л.М.Капитанчук\kern1pt+,
Р.В.Конакова\kern1pt, Я.Я.Кудрик, О.С.Литвин, В.В.Миленин, М.У.Насыров

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
* Государственное предприятие НИИ \glqq Орион\grqq,
03057 Киев, Украина
+ Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины,
03680 Киев, Украина

(Получена 5 сентября 2007 г. Принята к печати 14 сентября 2007 г.)

Изучалось влияние быстрой термической обработки на параметры барьеров Шоттки TiBx-n-GaP и межфазные взаимодействия на границе раздела TiBx-GaP. Показано, что контактная система TiBx-n-GaP обладает повышенной термостойкостью без изменения электрофизических параметров барьера Шоттки вплоть до T=600oC.

PACS: 85.30.Hi, 81.40.Rs, 73.40.Gk

 PDF версия (1.1Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster