ФТП, 2008, том 42, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Разработка фотоприемников для преобразователей изображений: легирование кремния селеном из газовой фазы

Ю.А.Астров, В.Б.Шуман, А.Н.Лодыгин, Л.М.Порцель, А.Н.Махова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 13 августа 2007 г. Принята к печати 21 августа 2007 г.)

Высокоскоростная регистрация процессов в инфракрасной области спектра может быть осуществлена с использованием преобразователей изображений \glqq полупроводниковый фотоприемник--газоразрядный промежуток\grqq. С целью создания фотоприемников с необходимыми свойствами исследовано влияние давления пара селена PSe на эффективность легирования монокристаллического кремния селеном. Введение селена проводилось методом диффузии в запаянных кварцевых ампулах при температуре 1240oC в диапазоне PSe=0.27-1.0 атм. Легированные образцы исследовались с помощью температурных измерений эффекта Холла. Обнаружена сильная зависимость концентрации введенных примесных центров от величины PSe. Найдено, что эффект легирования одинаков для исходных кристаллов, полученных зонной плавкой и методом Чохральского. С использованием полученных данных изготовлены фотоприемники, которые позволяют решать задачи высокоскоростной термографии с применением рассматриваемых преобразователей изображений.

PACS: 71.55.-i, 74.62.Dh, 85.60.Gz

 PDF версия (219Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster