ФТП, 2008, том 42, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Динамика формирования фотоответа в детекторной структуре из арсенида галлия

Г.И.Айзенштат\kern1pt, М.А.Лелеков, О.П.Толбанов

Томский государственный университет,
634034 Томск, Россия

(Получена 8 августа 2007 г. Принята к печати 21 августа 2007 г.)

Рассмотрено влиняние эффектов захвата на характеристики детекторов ионизирующего излучения из полуизолирующего арсенида галлия. Генерация неравновесных электронов и дырок вдоль всей толщины активной области осуществлялась при освещении инфракрасным светодиодом с длиной волны 0.9 мкм. При этом моделировалась ситуация, которая возникает в приборной структуре при воздействии на нее рентгеновского излучения или потока высокоэнергетических электронов. Показано, что в этом случае изменение формы выходного сигнала со временем вызвано изменением профиля электрического поля вследствие захвата дырок на глубокие центры в арсениде галлия. Совершенно другое распределение электрического поля возникает в структуре при облучении полупрозрачного катода структуры красным светодиодом, излучение которого проникает в активную область всего на 1 мкм. В этом случае трансформация электрического поля обусловлена захватом электронов. При длительном воздействии такого излучения в приборе возникает режим тока, ограниченного пространственным зарядом.

PACS: 42.79.Pw, 81.05.Ea, 85.25.Oj, 85.30.De, 87.66.Pm

 PDF версия (1.0Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster