ФТП, 2008, том 42, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние температуры и интенсивности освещения на образование метастабильных состояний в a-Si : H

И.А.Курова, Н.Н.Ормонт\kern1pt

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет),
119992 Москва, Россия

(Получена 21 июня 2007 г. Принята к печати 4 сентября 2007 г.)

В пленках a-Si : H обнаружено немонотонное изменение с увеличением температуры в интервале 400-480 K концентрации медленных фотоиндуцированных метастабильных состояний и полуширины функции их распределения по времени отжига. Эти немонотонные изменения параметров ансамблей определяются зависящим от температуры соотношением скоростей образования и отжига исследуемых метастабильных состояний. Установлено также, что при уменьшении интенсивности освещения пленки падение концентрации метастабильных состояний и полуширины их распределения по времени отжига начинается при более высоких температурах. Это возможно объяснить, в частности, существенным уменьшением скорости отжига медленных метастабильных состояний по сравнению с уменьшением скорости их фотоиндуцированного образования, включающего, согласно трехуровневой модели, и термический процесс.

PACS: 61.43.Dq, 71.23.Cq, 71.55.Jv

 PDF версия (164Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster