ФТП, 2008, том 42, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спектры излучения гетероструктур с квантовыми ямами
типа InGaN/AlGaN/GaN: модель двумерной
комбинированной плотности состояний

М.Л.Бадгутдинов, А.Э.Юнович\kern1pt

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет),
119992 Москва, Россия

(Получена 23 мая 2007 г. Принята к печати 28 августа 2007 г.)

Спектры люминесценции светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами проанализированы на основе модели двумерной комбинированной плотности состояний в активной области, которая учитывает флуктуации потенциала, статистику заполнения ям носителями и особенности вывода излучения из структуры. Модель описывает положение максимума спектров и экспоненциальные спады интенсивности в коротковолновой и длинноволновой областях, а также их изменение с током. Обсуждаются проблемы ограничения модели и физический смысл определяемых параметров. Примеры аппроксимации спектров синих светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN показывают необходимость независимого определения температуры активной области и учета интерференции в плоской структуре. Отличия формы спектров от простой модели зависят не только от свойств квантовых ям, но и от неоднородностей распределения In в InGaN.

PACS: 78.67.De, 78.60.Fi, 85.60.Dw

 PDF версия (700Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster