ФТП, 2008, том 42, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Низкотемпературные аномалии фотоэлектромагнитного эффекта в p-CdxHg1-xTe, обусловленные перезарядкой
поверхностных состояний

С.Г.Гасан-заде, М.В.Стриха, Г.А.Шепельский

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
01650 Киев, Украина

(Получена 31 июля 2007 г. Принята к печати 17 сентября 2007 г.)

В кристаллах p-CdxHg1-xTe обнаружен ряд аномалий фотоэлектромагнитного эффекта, которые не находят объяснения в рамках существующих теоретических представлений. Построена общая модель фотоэлектромагнитного эффекта для полупроводников с большим отношением подвижностей электронов и дырок и с учетом влияния пространственного заряда. Модель позволяет объяснить все экспериментально наблюдаемые аномалии фотоэлектромагнитного эффекта, в том числе двойную смену знака в магнитном поле. Сравнение теории с экспериментом дает возможность определить параметры материала. Предполагается, что пространственный заряд, ответственный за аномалии фотоэлектромагнитного эффекта, связан с наличием особых поверхностных состояний с очень высокой концентрацией (~1013 см-3), которые перезаряжаются из-за захвата ими неравновесных носителей.

PACS: 73.50.Gr, 73.50.Pz, 75.80.+q, 78.20.Ls

 PDF версия (215Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster